Fortschritte bei der Entwicklung von Hochleistungs- STT-MRAM Halbleiterspeichern
Submitted by Storage Consortium on 13 July, 2016 - 12:27Yorktown Heights (NY), Starnberg, 13. Juli 2016 - IBM erzielt Durchbruch (1) bei der Skalierung von (Spin Torque) STT-MRAM durch Perpendicular Magnetized Materials...