Hochleistungs-NAND Flash Storage: Samsung startet Massenproduktion von 64-Layer V-NAND
Submitted by Storage Consortium on 30 June, 2017 - 12:09Seoul (Korea), Starnberg, 30. Juni 2017 - 64-Layer 256-gigabit (Gb) 3-bit Multi-Level-Cell (MLC) V-NAND-Chips als technologische Basis für das Terabyte V-NAND-Zeitalter…